Kioxia, National Commendation for Invention에서 2022년 발명상 수상

Tokyo, 2022년 6월 1일 – 세계 메모리 솔루션 업계를 선도하는 Kioxia Corporation이 다층 플래시 메모리용 읽기 방법 최적화(특허 번호: 4892307) 기술을 개발한 공로를 인정받아 국가발명표창(National Commendation for Invention)의 ‘2022 발명상’을 받았다고 발표했습니다. 1919년 출범한 National Commendation for Invention은 과학, 기술을 홍보하고 뛰어난 발명, 아이디어 및 디자인을 가진 산업을 인정하는 일본의 시상 프로그램입니다. Kioxia는 이 권위 있는 프로그램으로부터 3년 연속 수상했습니다.

• Mitsuaki Honma, 메모리 디자인 관리 수석 전문가, 메모리 부서
• Noboru Shibata, 메모리 기술 연구 & 개발 연구소, 기기 기술 연구 & 개발 센터 부장

2022 발명상을 받은 Kioxia의 기술은 더 공정한 분산·할당을 지원하는 혁신적 비트코딩(bit-coding)을 접목해 다층 플래시 메모리에서 예상되는 최대 오류율을 낮추고 오류정정부호(ECC) 저장에 필요한 반도체 면적을 줄여 줍니다. 또한 이 획기적인 개발은 플래시 메모리의 최대 읽기 지연 시간을 개선합니다.

디지털 사회를 맞아 늘어나는 대용량 스토리지에 대한 수요에 대응하기 위해 플래시 메모리는 점점 더 다층화 되어 각 메모리 셀에 1비트 이상의 데이터를 저장할 수 있게 되었습니다. 각 메모리 셀에 3개 이상의 데이터 비트가 저장되는 다층 레벨 플래시 메모리는 데이터 판독을 위해 메모리 셀의 특정 상태(임계값 전압)를 구별하기 위해 훨씬 더 많은 수의 결정 연산을 필요로 합니다. 또한, 비트에 할당된 결정 작업 수의 변동은 다층 레벨 플래시 메모리에서 훨씬 더 커져 더 높은 오류 수정 기능이 필요합니다. 종래의 비트 코딩에서, 특정 비트를 판독하는 것은 다른 비트를 판독하는 것에 비해 더 많은 수의 결정 동작(즉, 더 강한 판독)을 필요로 하며; 이는 이러한 비트를 판독하는 데 증가된 화합물 오류를 야기합니다. 즉, ECC 수 증가로 인해 발생하는 데이터를 저장하려면 더 많은 칩 영역이 필요합니다. 기존 비트 코딩을 통한 결정 작업의 이러한 증가는 해당 비트에 대한 읽기 지연 시간을 증가시킵니다.  

메모리로 세계를 고양시킨다는 사명에 따라 Kioxia는 전 세계 사람들에게 가치를 제공하는 연구 및 기술 개발에 전념하고 있습니다.