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3D 플래시 메모리 “BiCS FLASH™”
KIOXIA의 확장 가능한 BiCS FLASH™ 3D Flash 메모리 기술은 메모리 용량을 최고 수준으로 향상시켰습니다.
KIOXIA는 차세대 스토리지 애플리케이션을 위한 플래시 기반 제품을 제공합니다. 35년 전에 NAND 플래시 메모리를 발명한 KIOXIA는 이제 세계 주요 플래시 메모리 공급업체 중 하나이며 기술을 계속 발전시키고 있습니다.
KIOXIA 기술은 대용량 스토리지의 길을 선도하고 있습니다.
KIOXIA 3D 플래시 메모리 "BiCS FLASH™"는 고급 스마트폰, PC, SSD 및 데이터 센터와 같은 데이터 중심 애플리케이션의 요구를 충족하는 획기적인 혁신입니다. 고성능, 고밀도 및 비용 효율성에 대한 요구를 충족하기 위해 다양한 고급 기술을 최적화했습니다. 여기에는 프런트엔드 공정의 CBA(CMOS 직접 배열에 결합) 기술과 백엔드 공정의 조립 기술이 포함됩니다.
프론트 엔드 프로세스의 CBA 기술
KIOXIA BiCS FLASH™ 세대 8 3D 플래시 메모리는 218개의 레이어와 CMOS를 직접 어레이에 결합(CBA) 웨이퍼 본딩 기술을 특징으로 하며, 이는 첨단 스마트폰, PC, SSD 및 데이터 센터와 같은 데이터 중심 애플리케이션의 요구를 충족하는 아키텍처 혁신입니다. BiCS FLASH™ 3D 플래시 메모리는 성능, 고밀도 및 비용 효율성이 중요한 경우에 적합합니다.
인터뷰
High-density 3D flash memory using high-precision wafer bonding brings new value to storage
In recent years, flash memory manufacturers have focused primarily on developing technologies to increase the number of layers of memory cells and increase memory density. Each time a new generation of flash memory is released, the number of layers increases with some products boasting more than 200 layers. However, as Atsushi Inoue, Vice President of Memory Division at KIOXIA, explained, "Increasing the layers of memory cells is only one way of increasing capacity and memory density, and we are not exclusively preoccupied with the number of layers."
백엔드 공정의 조립 기술
인터뷰
Leading the AI Evolution with Innovative 2mm Flash Memory Assembly Technology
32 memory dies assembled into a single package
The rapid growth of AI has accelerated demand for flash memory capacity. KIOXIA has successfully developed large-capacity 8 TB (terabyte) flash memory by assembling 32 pieces of 2 Tb (terabit) memory dies into a package less than 2 mm in height. This achievement was made possible with advanced assembly process technologies, including the technology for making wafers as thin as possible.
BiCS FLASH™ 기술
주요 기능*
기존 플래시 메모리보다 다이당 저장 용량이 많음
높은 읽기/쓰기 속도 성능
2D(planar) NAND보다 높은 신뢰성
저전력 소비
* 2D 평면 기술과 비교
타겟 어플리케이션
데이터 센터 효율성
BiCS FLASH™ 3D 플래시 메모리는 가장 까다로운 데이터 센터 문제를 해결하도록 설계되었습니다.
3D 플래시 메모리 작동 원리
3D 플래시 메모리 작동 원리는 CG(컴퓨터 생성) 애니메이션으로 태양이 밝아지는 방식(영어 자막이 있는 일본어)과 대조하여 설명합니다.
KIOXIA의 확장 가능한 BiCS FLASH™ 3D 플래시 메모리 기술은 메모리 용량을 최고 수준으로 향상시킵니다.
TLC (Triple-Level Cell) 및 QLC (Quadruple-Level Cell) 기술
BiCS FLASH™ 3D fl -ash 메모리 제품 라인업에는 TLC(3비트/셀) 및 SQLC(4비트/셀) 기술이 모두 포함되어 있습니다. QLC 기술은 메모리 셀당 데이터의 비트 카운트를 3에서 4로 푸시하여 용량을 크게 확장합니다. BiCS FLASH™ QLC 기술을 사용하여 단일 패키지로 16다이 스택 아키텍처에서 4테라바이트(TB) 용량을 달성할 수 있습니다.
더 큰 메모리 용량과 효율성을 향한 드라이브 주도
KIOXIA는 SLC기술을 MLC로, MLC를 TLC로, 그리고 현재는 TLC에서 QLC로의 성공적인 마이그레이션을 구상하고 준비한 최초의 플레이어입니다.
KIOXIA QLC 기술은 고밀도, 저비용 저장 솔루션이 필요한 애플리케이션에 이상적입니다. 오늘날의 QLC는 단일 패키지에서 가능한 최고 밀도로 풋프린트를 줄여, 스토리지 솔루션의 확장을 가능하게 합니다.
- 이전 세대의 BiCS FLASH™ 3D TLC 플래시 메모리에 비해 기능 및 일반적인 사용 성능 개선.
- 출처: KIOXIA - 2024년 7월 3일 보도 자료
애플리케이션별 제품
고급 고성능, 고용량, 저전력, 낮은 지연 시간, 안정성 등을 제공하여 자동차 애플리케이션, 소형 고성능 지향 PC, 클라우드 서버 및 하이퍼스케일 데이터 센터 구축 등 다양한 기능을 제공합니다. KIOXIA 메모리 및 스토리지 솔루션은 새로운 애플리케이션을 지원하고 기존 기술이 예상 잠재력에 도달할 수 있도록 합니다.
학습 및 평가
지원
기술적 질문, 자료 요청, 기업용 제품(메모리,SSD)의 샘플 또는 구매에 관심이 있는 경우 당사에 문의하십시오.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
