3D 플래시 메모리 | BiCS FLASH™

KIOXIA의 확장 가능한 BiCS FLASH™ 3D Flash 메모리 기술은 메모리 용량을 최고 수준으로 향상시켰습니다.

KIOXIA는 차세대 스토리지 애플리케이션을 위한 플래시 기반 제품을 제공합니다. 35년 전에 NAND 플래시 메모리를 발명한 KIOXIA는 이제 세계 최대 플래시 메모리 공급업체 중 하나이며 기술을 계속 발전시키고 있습니다.

획기적인 아키텍처로 혁신을 주도하는 KIOXIA BiCS FLASH™ 기술

KIOXIA BiCS FLASH™ 세대 8 3D 플래시 메모리는 218개의 레이어와 CMOS를 직접 어레이에 결합(CBA) 웨이퍼 본딩 기술을 특징으로 하며, 이는 첨단 스마트폰, PC, SSD 및 데이터 센터와 같은 데이터 중심 애플리케이션의 요구를 충족하는 아키텍처 혁신입니다. BiCS FLASH™ 3D 플래시 메모리는 성능, 고밀도 및 비용 효율성이 중요한 경우에 적합합니다.

KIOXIA BiCS FLASH™ 8세대 3D 플래시 메모리는 CBA 기술을 최대한 활용합니다(비디오, 3:22). A modal window will open.

BiCS FLASH™ 8세대 기술 – 왜 CBA인가?

CBA 기술을 통하여, 각 CMOS 웨이퍼와 셀 어레이 웨이퍼를 최적의 조건에서 별도로 제조한 후 결합하여, 비트 밀도와 NAND I/O 속도가 향상되었습니다. 셀과 주변 장치를 별도로 제작하면 각각을 최적화하여 셀 신뢰성과 I/O 속도 간의 균형을 없앨 수 있으며 전력 효율성, 성능, 밀도, 비용 효율성 및 지속 가능성에서 큰 도약을 실현할 수 있습니다.*1

CBA 웨이퍼 본딩 기술
BiCS FLASH™ 8세대 향상(이전 세대 대비) BiCS FLASH™ 8세대 향상(이전 세대 대비)

인터뷰

고정밀 웨이퍼 본딩을 사용하는 고밀도 3D 플래시 메모리는 스토리지에 새로운 가치를 제공합니다.

최근 몇 년 동안 플래시 메모리 제조업체는 메모리 셀의 레이어 수를 늘리고 메모리 밀도를 높이기 위한 기술 개발에 주력해 왔습니다. 새로운 세대의 플래시 메모리가 출시될 때마다, 200개 이상의 레이어를 자랑하는 일부 제품에 따라 레이어 수가 증가합니다. 그러나 KIOXIA 메모리 사업부 부사장인 Atsushi Inoue는 '메모리 셀의 레이어를 늘리는 것은 용량과 메모리 밀도를 높이는 한 가지 방법일 뿐이며, 우리는 레이어 수에만 전념하지 않습니다.'라고 설명했습니다.

자세히 보기(KIOXIA Corporation 영어 사이트) A new window will open.

BiCS FLASH™ 기술

BiCS FLASH™ 3차원(3D) 수직 플래시 메모리 셀 구조를 통해 주류 2D(평면) 플래시 메모리 용량을 능가할 수 있습니다.

BiCS FLASH™ Technologies에 대해 자세히 알아보기(KIOXIA Corporation 영어 사이트) A new window will open.

주요 기능*

기존 플래시 메모리보다 다이당 스토리지 용량이 높음

더 높은 읽기/쓰기 속도 성능

2D(플래너) NAND보다 높은 신뢰성

저전력 소비

* 2D 평면 기술과 비교

타겟 어플리케이션

BiCS FLASH™ 대상 애플리케이션 BiCS FLASH™ 대상 애플리케이션

데이터 센터 효율성

BiCS FLASH™ 3D 플래시 메모리는 가장 까다로운 데이터 센터 문제를 해결하도록 설계되었습니다.

랙 슬롯당 밀도, 전력 효율성, IOPS/QoS

3D 플래시 메모리 작동 원리

3D 플래시 메모리 작동 원리는 CG(컴퓨터 생성) 애니메이션으로 태양이 밝아지는 방식(영어 자막이 있는 일본어)과 대조하여 설명합니다.

KIOXIA의 확장 가능한 BiCS FLASH™ 3D 플래시 메모리 기술은 메모리 용량을 최고 수준으로 향상시킵니다.

TLC (Triple-Level Cell) 및 QLC (Quadruple-Level Cell) 기술

BiCS FLASH™ 3D fl -ash 메모리 제품 라인업에는 TLC(3비트/셀) 및 SQLC(4비트/셀) 기술이 모두 포함되어 있습니다. QLC 기술은 메모리 셀당 데이터의 비트 카운트를 3에서 4로 푸시하여 용량을 크게 확장합니다. BiCS FLASH™ QLC 기술을 사용하여 단일 패키지로 16다이 스택 아키텍처에서 4테라바이트(TB) 용량을 달성할 수 있습니다.

밀도 및 포장

더 큰 메모리 용량과 효율성을 향한 드라이브 주도

KIOXIA는 SLC기술을 MLC로, MLC를 TLC로, 그리고 현재는 TLC에서 QLC로의 성공적인 마이그레이션을 구상하고 준비한 최초의 플레이어입니다.

KIOXIA의 QLC 기술은 고용량 저비용 스토리지 솔루션이 필요한 애플리케이션에 이상적입니다. 오늘날의 QLC는 단일 패키지에서 가능한 최고 밀도로 풋프린트를 줄여, 스토리지 솔루션의 확장을 가능하게 합니다.

  1. 이전 세대의 BiCS FLASH™ 3D TLC 플래시 메모리에 비해 기능 및 일반적인 사용 성능 개선.
  2. 출처: KIOXIA - 2024년 7월 3일 보도 자료

애플리케이션별 제품

고급 고성능, 고용량, 저전력, 낮은 지연 시간, 안정성 등을 제공하여 자동차 애플리케이션, 소형 고성능 지향 PC, 클라우드 서버 및 하이퍼스케일 데이터 센터 구축 등 다양한 기능을 제공합니다. KIOXIA 메모리 및 스토리지 솔루션은 새로운 애플리케이션을 지원하고 기존 기술이 예상 잠재력에 도달할 수 있도록 합니다.

애플리케이션

학습 및 평가

KIOXIA BiCS FLASH™ 3D 플래시 메모리(PDF: 1.9MB) PDF will open in a new window.
XL-플래시 속도를 위한 설계(PDF : 693KB) PDF will open in a new window.
KIOXIA 산업용 플래시 메모리(PDF: 89KB) PDF will open in a new window.

지원

연락처
기업용 제품에 관한 문의/지원

기술적 질문, 자료 요청, 기업용 제품(메모리,SSD)의 샘플 또는 구매에 관심이 있는 경우 당사에 문의하십시오.

관련 링크

What is the 3D Flash Memory “BiCS FLASH™”? A new window will open.

In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.

What is NAND Flash Memory? A new window will open.

KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.

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“Multi-level cell technology” is one of the main technologies realizing larger capacity flash memory. The 1 Gbit MLC NAND flash memory launched by KIOXIA in 2001 was the first application in the world of multi-level cell technology to a NAND flash memory product.