Kioxia 직원들이 일본 교육, 문화, 스포츠, 과학 및 기술부로부터 과학 및 기술 상을 수상

메모리 솔루션의 세계적 선도업체인 Kioxia Corporation은 오늘 직원들이 고용량 3차원 플래시 메모리 장치와 그 제조 방법을 발명하여 메모리 용량을 크게 늘리고 제조 비용을 절감한 공로로 교육, 문화, 스포츠, 과학 및 기술부로부터 과학 및 기술 상을 수상했다고 발표했습니다.

이 연례 상은 교육, 문화, 스포츠, 과학 및 기술부가 연구 개발에서 뛰어난 성과를 거두고 일본에서 과학 및 기술에 대한 이해를 증진시킨 개인에게 수여합니다.

• Ryota Katsumata, Assistant to General Manager, Advanced Memory Development Center, Memory Division
• Masaru Kito, Group Manager, Advanced Memory Development Center, Memory Division
• Hideaki Aochi, Senior Expert, Device Technology Research & Development Center, Institute of Memory Technology Research and Development
• Masaru Kido, Chief Specialist, Memory Development Strategy Division
• Hiroyasu Tanaka, Chief Specialist, Memory Development Strategy Division

플래시 메모리는 스마트폰과 데이터 센터를 포함한 다양한 데이터 저장 애플리케이션에서 사용되며 수요가 증가할 것으로 예상됩니다.

수상 경력에 빛나는 3차원 플래시 메모리 기술은 고용량 3차원 플래시 메모리를 실현하기 위해 메모리 셀을 수직으로 적층하기 위한 제작 프로세스를 크게 단순화한 획기적인 접근 방식입니다. 종래의 적층은 메모리 셀 어레이 제조를 위해 반복적인 증착 및 패터닝 공정을 필요로 하는 반면, 이 기술은 먼저 메모리 셀용 재료를 적층한 다음, 1회 패터닝 공정을 사용하여 각 셀을 동시에 제조함으로써 처리 단계를 상당히 감소시킵니다. 기존의 2차원 플래시 메모리에 사용되는 소형화 기술이 물리적 한계에 가까워짐에 따라, 고용량 고성능 3차원 플래시 메모리 기술이 이제 시장의 선도적인 제품에 점점 더 많이 적용되고 있습니다. 2015년 3차원 플래시 메모리 BiCS FLASH™를 상용화한 후 Kioxia는 적층 용량를 높이기 위해 노력하고 있습니다. 지난 달, Kioxia는 218레이어 대용량 고성능 3차원 플래시 메모리 BiCS FLASH™를 발표했습니다.

이 3차원 플래시 메모리 기술은 또한 2020년 National Commendation for Invention에서 Imperial Invention Award를 수상했으며 2021 IEEE Andrew S. Grove Award를 수상했습니다.

메모리로 세계를 고양시킨다는 사명에 따라 Kioxia는 전 세계 사람들에게 가치를 제공하는 연구 및 기술 개발에 전념하고 있습니다.