Kioxia, 새로운 R&D 시설 두 곳의 가동 개시

Kioxia Corporation은 오늘 Yokohama 테크놀로지 캠퍼스의 Flagship 빌딩과 Shin-Koyasu 테크놀로지 프론트 등 두 곳의 새로운 R&D 시설 운영을 시작하여 플래시 메모리 및 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 분야의 연구 개발 역량을 강화했습니다. 앞으로는 연구 효율성을 개선하고 기술 혁신의 발전을 촉진하기 위해 Kanagawa현의 다른 R&D 부서도 이 새로운 R&D 허브로 이전될 것입니다.

새로운 Flagship 빌딩이 추가됨에 따라 Yokohama 테크놀로지 캠퍼스는 크기가 거의 두 배로 늘어날 것이며, 이를 통해 Kioxia는 플래시 메모리 및 SSD 제품 평가 역량을 확장하여 전반적인 제품 개발과 제품 품질을 향상시킬 수 있게 되었습니다. 환경 친화적인 시설을 갖춘 Flagship 빌딩은 에너지 효율성 개선을 통해 에너지 소비를 50% 이상 줄이는 건물에 제공되는 ZEB-Ready 인증*¹을 획득했습니다.

Shin-Koyasu 테크놀로지 프론트는 새로운 재료, 공정 및 장치를 포함한 광범위한 반도체 분야에서 첨단 기초 연구를 위한 허브 역할을 할 것입니다. 환경 친화적인 디자인의 최첨단 클린룸이 특징입니다.

Kioxia Corporation의 최고 기술 책임자인 Masaki Momodomi는 “Kioxia의 새로운 R&D 시설이 운영되어 매우 기쁩니다. Kioxia는 NAND 플래시 메모리를 발명한 이래 35년 이상 메모리 제품의 혁신을 주도해 왔습니다. 이 두 가지 새로운 시설을 통해 우리는 미래의 디지털 사회를 지원할 제품, 서비스 및 기술을 제공하기 위해 연구 개발 활동을 더욱 가속화하고 심화할 것입니다.”

Kioxia는 차세대 메모리 기술 외에도 데이터 중심 컴퓨팅 시스템 및 AI와 같은 디지털 트랜스포메이션을 앞두고 있는 시스템 기술을 포함하여 다양한 분야에서 R&D에 참여합니다. Kioxia는 일본 및 해외의 대학, 연구소 및 기업과 함께 개방적인 혁신을 촉진합니다.

“기억”을 통해 세상을 고양시킨다는 사명 아래 Kioxia는 플래시 메모리 및 SSD 비즈니스의 경쟁력을 강화하는 이니셔티브를 개발하기 위해 최선을 다하고 있습니다.

Yokohama 기술 캠퍼스 Flagship 빌딩
위치: Kasama 2-chome, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture
높이: 6층
총 층 면적: 약 3,500MWh

Shin-Koyasu 기술 프론트
위치: Moriya-cho 3-chome, Kanagawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture
높이: 4층
총 층 면적: 약 3,500MWh