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Kioxia, IEDM 2024에서 새로운 메모리 기술 공개
AI, 컴퓨팅 및 스토리지 시스템을 위한 혁신적인 애플리케이션 소개
- 2024년 10월 21일
- KIOXIA Corporation
메모리 솔루션 분야의 세계적 선도업체인 Kioxia Corporation은 오늘 12월 7일부터 11일까지 미국 샌프란시스코에서 개최되는 권위 있는 국제 컨퍼런스인 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM) 2024에서 회사의 연구 논문이 발표를 위해 수락되었다고 발표했습니다.
Kioxia는 AI의 발전과 사회의 디지털 트랜스포메이션에 필수적인 반도체 메모리의 연구 개발에 전념하고 있습니다. Kioxia는 최첨단 3차원(3D) 플래시 메모리 기술인 BiCS FLASH™를 넘어 새로운 메모리 솔루션에 대한 연구에 탁월합니다. 이 회사는 혁신적인 메모리 제품으로 미래의 컴퓨팅 및 스토리지 시스템에 대한 요구를 충족하기 위해 끊임없이 노력하고 있습니다.
기존 컴퓨팅 시스템은 DRAM을 활용합니다. DRAM은 CPU가 데이터를 신속하게 처리할 수 있게 해주는 기본 메모리 장치이며, 광범위한 데이터를 저장하기 위한 플래시 메모리도 함께 사용합니다. Kioxia는 DRAM보다 더 많은 데이터 볼륨을 플래시 메모리보다 더 빠른 속도로 처리하도록 설계된 반도체 메모리 계층구조에서 DRAM과 플래시 메모리 사이에 위치한 메모리 솔루션인 스토리지 클래스 메모리(SCM)에 대한 연구 개발을 주도하고 있습니다.
그림: 메모리 계층
IEDM에서 Kioxia는 (1) 전력 소비를 줄이는 데 중점을 둔 산화물 반도체를 활용하는 새로운 유형의 DRAM, (2) SCM 적용제품을 위한 더 큰 용량에 적합한 MRAM, (3) 비트 밀도와 성능이 우수한 3D 플래시 메모리의 새로운 구조와 같은 세 가지 반도체 메모리 레이어 각각에 맞춤화된 최첨단 기술을 선보일 예정입니다.
새로운 메모리 기술:
- 산화물-반도체 채널 트랜지스터 DRAM(OCTRAM):
이 기술은 Nanya Technology와 Kioxia Corporation이 공동 개발했습니다. 이 회사는 제조 공정을 개선하여 회로 통합을 강화하는 수직 트랜지스터를 개발했습니다. 이 회사는 산화물 반도체를 사용하여 트랜지스터의 특성을 제거함으로써 극도로 낮은 전류 누출을 달성했습니다. 이는 AI 및 post-5G 통신 시스템과 IoT 제품을 포함한 광범위한 애플리케이션에서 전력 소비를 잠재적으로 낮출 수 있습니다.
논문 제목: 4F2 아키텍처가 있는 산화반도체 채널 트랜지스터 DRAM(OCTRAM)(논문 번호: 6-1)
- 대용량 Crosspoint MRAM 기술:
이 기술은 SK hynix Inc.와 Kioxia Corporation과 공동으로 개발되었습니다. 이 기술을 통해 이 회사는 대용량에 적합한 선택기와 자기 터널 접합부를 결합하는 셀 기술을 결합하고 교차점형 어레이에 미세 처리 기술을 적용함으로써 MRAM에 대해 20.5나노미터의 가장 작은 셀 하프 피치 규모로 셀 읽기/쓰기 작업을 달성했습니다. 기억 신뢰도는 세포가 소형화됨에 따라 저하되는 경향이 있습니다. 회사는 선택기의 일시적인 응답을 활용하고 판독 회로의 기생 정전 용량을 줄이는 새로운 판독 방법을 활용하여 잠재적인 솔루션을 개발했습니다. 이 기술은 AI 및 빅데이터 처리를 위한 실용적인 애플리케이션을 갖추고 있습니다.
논문 제목: 세계에서 가장 작은 1Selector-1MTJ 셀에서 64Gb 교차점 MRAM(종이 번호: 20-1)을 위한 낮은 읽기 방해율을 가진 안정적인 메모리 작동
- 수평 셀 스택 구조를 갖춘 차세대 3D 메모리 기술:
Kioxia는 신뢰성을 개선하고 NAND형 셀 성능의 저하를 방지하기 위해 새로운 3D 구조를 개발했습니다. 성능 저하는 전형적으로 적층된 층의 수가 종래의 구조에서 증가할 때 발생한다. 새로운 구조는 NAND형 셀을 수직으로 배열하는 기존 구조와 비교하여 적층하여 NAND형 셀을 수평으로 배열합니다. 이 구조는 낮은 비용으로 높은 비트 밀도와 안정성을 갖춘 3D 플래시 메모리를 실현할 수 있도록 합니다.
논문 제목: 차세대 3D 플래시 메모리를 위한 고급 수평 채널 플래시의 탁월한 확장성(종이 번호: 30-1)
IEDM에 대한 자세한 내용은 https://www.ieee-iedm.org/ 참조하십시오.
Kioxia는 "'메모리'으로 세상을 향상 시키게 한다"는 사명을 바탕으로 미래의 디지털 사회를 지원하는 연구 및 기술 개발을 촉진하기 위한 혁신적인 기술로 새로운 시대의 기억을 키울 것입니다.
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