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Kioxia 샘플링 UFS 버전 자동차 애플리케이션용 UFS 4.1 내장형 플래시 메모리 장치 출시
고성능, 보다 효율적인 데이터 처리 및 자동차 등급 신뢰성을 통해 차세대 자동차 혁신 추진
- 2025년 7월 31일
- KIOXIA Corporation
Tokyo – 메모리 솔루션 분야를 선도하는 글로벌 기업 Kioxia Corporation이 범용 플래시 메모리[2](UFS) 버전 4.1 내장형 플래시 메모리 장치 신제품의 샘플 출하[1]를 시작했다고 발표했습니다. 차세대 차량 내 시스템의 엄격한 요구 사항을 충족하도록 설계된 이 새로운 장치는 Kioxia의 8세대 BiCS FLASH™ 3D 플래시 메모리와 자체 설계된 컨트롤러 기술로 구동되는 뛰어난 성능, 유연성 및 진단 기능을 제공합니다.
128기가바이트(GB), 256GB, 512GB 및 1테라바이트(TB)의 용량으로 제공되는 새로운 UFS 4.1 장치는 인포테인먼트, ADAS(Advanced Driving Assistant System), 텔레매틱스, 도메인 컨트롤러 및 차량 컴퓨터의 요구에 맞게 설계되었습니다. AEC-Q100/104(3) Gragd2 표준을 충족하여 최대 115°C의 사례 온도를 지원합니다.
Kioxia의 UFS 3.1 세대(4)의 성능을 향상시키는 새로운 UFS 4.1(512GB) 장치는 다음과 같은 기능을 제공합니다.
- 순차 읽기 성능의 약 2.1배
- 순차 쓰기 성능의 약 2.5배
- 랜덤 읽기 성능의 약 2.1배
- 약 3.7배의 임의 쓰기 성능
이러한 개선 사항은 데이터 집약적인 자동차 환경에서 보다 신속한 사용자 경험을 제공합니다.

주요 기능은 다음과 같습니다.
- 최적의 성능을 위해 더 나은 유연성을 제공하는 WriteBooster Buffer Resizing 및 Pinned Partial Flush Mode와 같은 WriteBooster 관련 확장을 포함하는 UFS 4.1 사양을 준수합니다. UFS 4.1은 UFS 4.0 및 UFS 3.1과 하위 호환됩니다.
- 새로 추가된 공급업체별 장치 상태 설명자를 포함한 향상된 진단 기능으로 장치 상태 모니터링 및 예측 유지보수를 간소화합니다.
- 8세대 BiCS FLASH™ 3D 플래시 메모리를 사용합니다.
Kioxia의 UFS 4.1 장치는 회사의 혁신적인 BiCS FLASH™ 3D 플래시 메모리와 컨트롤러를 JEDEC 표준 패키지에 통합했습니다. 이 새로운 UFS 장치는 Kioxia의 8세대 BiCS FLASH™ 3D 플래시 메모리로 제작되었습니다. 이 세대는 플래시 메모리 설계의 단계적 변화를 나타내는 아키텍처 혁신인 CBA(CMOS directly Bonded to Array) 기술을 도입합니다. CBA 기술은 CMOS 회로를 메모리 어레이에 직접 접합함으로써 전력 효율성, 성능 및 밀도 면에서 큰 이점을 제공합니다.
메모:
- 1TB 장치의 샘플 배송은 6월에 시작되었으며, 128GB 및 256GB 장치는 7월에 시작되었습니다. 샘플의 사양은 상용 제품과 다를 수 있습니다.
- UFS(Universal Flash Storage)는 JEDEC UFS 표준 사양에 따라 구축된 임베디드 메모리 제품 등급의 제품 카테고리입니다. UFS는 시리얼 인터페이스 채택으로 완전한 이중화(duplexing)를 지원하고 호스트 프로세서 및 UFS 장치 간의 동시 읽기와 쓰기가 가능합니다.
- AEC(자동차전자부품협회)에서 정의한 전자 부품 자격 요건.
- UFS 3.1 512GB 장치 “THGJFGT2T85BAB5”.
- Kioxia 제품에 대한 모든 언급에서: 제품 용량은 최종 사용자가 데이터 저장에 사용할 수 있는 메모리 용량이 아니라 제품 내 메모리 칩의 용량를 기반으로 정의됩니다. 오버헤드 데이터 영역, 포맷, 불량 블록 및 기타 제약으로 인해 소비자 사용 가능 용량이 줄어들 수 있으며, 호스트 장치 및 애플리케이션에 따라 달라질 수도 있습니다. 자세한 내용은 해당 제품 사양을 참조하십시오. 1KB = 2^10바이트 = 1,024바이트. 1Gb의 정의 = 2^30비트 = 1,073,741,824비트. 1GB의 정의 = 2^30바이트 = 1,073,741,824 바이트. 1Tb = 2^40비트 = 1,099,511,627,776비트. 1TB = 2^40바이트 = 1,099,511,627,776바이트.
- 1 메가 바이트(MB)= 1,000,000 바이트(Byte).
- 이는 KIOXIA Corporation의 특정 테스트 환경에서 얻은 최상의 값이며, KIOXIA Corporation은 개별 장치의 읽기 속도와 쓰기 속도를 보증하지 않습니다. 읽기 및 쓰기 동작 속도는 사용되는 장치와 읽고 쓰는 파일 사이즈에 따라 다를 수 있습니다.
- 회사명, 제품명 및 서비스명은 제3자 회사의 상표일 수 있습니다.
KIOXIA 소개
Kioxia는 플래시 메모리 및 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)의 개발, 생산 및 판매를 전문으로 하는 메모리 솔루션 분야의 세계적인 선도업체입니다. 2017년 4월, Toshiba Memory는 1987년 NAND 플래시 메모리를 발명한 Toshiba Corporation으로부터 분사되었습니다. Kioxia는 고객을 위한 선택과 사회를 위한 메모리 기반 가치를 창출하는 제품, 서비스 및 시스템을 제공함으로써 "메모리"로 세상을 고양시키는 데 전념하고 있습니다. Kioxia의 혁신적인 3D 플래시 메모리 기술인 BiCS FLASH™는 첨단 스마트폰, PC, 자동차 시스템, 데이터 센터 및 생성형 AI 시스템을 포함한 고밀도 애플리케이션에서 스토리지의 미래를 만들어가고 있습니다.
고객 문의:
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