3D NAND 플래시 발명으로 FMS에서 평생 공로상을 수상한 Kioxia

NAND 플래시 메모리를 발명한 Kioxia Corporation은 2024년 FMS: Future of Memory and Storage Lifetime Achievement Award를 수상했습니다. Hideaki Aochi, Ryota Katsumata, Masaru Kito, Masaru Kido 및 Hiroyasu Tanaka로 구성된 Kioxia 엔지니어링 팀은 3D 플래시 메모리 개발 및 상용화에 대한 선구적인 노력으로 이 권위 있는 상을 수상하게 되었습니다. 이 획기적인 기술은 고급 스마트폰, PC, SSD, 데이터 센터, AI 및 산업용을 포함한 광범위한 컴퓨팅 애플리케이션의 기본이 되었습니다.

Kioxia는 2007년 VLSI 심포지엄에서 BiCS FLASH™ 3D 플래시 메모리 기술의 개념을 제시했습니다. 프로토타입을 발표한 후 Kioxia는 대량 생산을 위한 기술을 최적화하기 위한 개발을 계속했으며, 2015년에 세계 최초의 256기가비트(Gb) 48레이어 3D 플래시 메모리를 출시했습니다.

FMS 총무인 Chuck Sobey는 "Kioxia의 3D 플래시 메모리 혁신은 데이터 저장 방식을 혁신적으로 변화시켰으며, 기존 기술의 단순한 발전을 넘어 현대 컴퓨팅의 요구를 충족시키는 획기적인 솔루션으로 탈바꿈시켰습니다,"라고 말했습니다. "우리는 이 중요한 기여를 소개하게 되어 기쁘게 생각하며, 미래에 어떤 일이 일어날지 기대하고 있습니다."

용량과 성능을 향상시키는 3D 스택 구조를 갖춘 BiCS FLASH 3D 플래시 메모리는 스토리지 산업에서 변혁적인 힘이 되었습니다. 이 기술은 신뢰성과 효율성을 유지하면서 더 높은 밀도의 스토리지 솔루션을 가능하게 하고, 데이터 센터, 소비자 전자 제품 및 모바일 장치의 기능을 크게 향상시키며, 플래시 메모리 기술의 새로운 표준을 수립했습니다. Kioxia의 BiCS FLASH 기술은 수직 스태킹을 활용하여 평면 NAND 플래시의 한계를 해결하고 메모리 스토리지 솔루션의 미래 개발을 위한 길을 열어주며 업계 리더인 Kioxia Corporation을 강화했습니다.

Kioxia Corporation의 메모리 사업부 부사장 겸 기술 임원인 Atsushi Inoue는 “3D 플래시 메모리에서 Kioxia의 기술 혁신은 아무리 강조해도 지나치지 않습니다.”라고 말했습니다. “당사의 기술은 업계에서 새로운 패러다임을 창출하여 플래시 메모리가 셀, 다이 및 패키지당 스토리지 밀도를 크게 높일 수 있도록 했습니다. 저는 우리의 업적이 인정받는 것을 보게 되어 매우 기쁩니다. 그리고 앞으로 몇 년 동안 그들의 지속적인 영향력을 목격할 수 있기를 기대합니다.”

“제 동료 Kioxia 엔지니어들은 기술적인 성취뿐만 아니라 주변 기술 전문가들을 위한 지속적인 혁신과 지원을 통해 이 분야를 발전시키려는 헌신에 영감을 받았습니다.”라고 Kioxia Corporation의 Advanced Memory Development Center의 선임 연구원인 Ryota Katsumata는 말했습니다. “우리의 기여는 역동적 영향을 미쳤을 뿐만 아니라, 지역사회 내에서 혁신과 협력 정신을 조성해 왔습니다. 이 리더십과 비전이 인정받는 것을 보게 되어 정말 기쁩니다.”

이 3D 플래시 메모리 기술은 또한 2020년 일본에서 열린 National Commendation for Invention에서 Imperial Invention Prize를 수상했으며, 일본 교육 문화 스포츠 과학 기술부로부터 2023년 The Commendation for Science and Technology 상을 수상하고 2021 IEEE Andrew S. Grove Award를 수상했습니다.