Kioxia, 9세대 BiCS FLASH™ 512Gb TLC 장치의 샘플 배송 개시

메모리 솔루션의 세계적 선도업체인 Kioxia Corporation은 오늘 9세대 BiCS FLASH™ 3D 플래시 메모리 기술을 적용한 512Gb 트리플 레벨 셀(TLC) 메모리 장치의 샘플 출하⁽¹⁾를 시작했다고 발표했습니다. 회계연도 2025에 양산을 시작할 계획입니다. 이 장치는 저-중간 수준의 스토리지 용량에서 고성능과 탁월한 전력 효율성을 요구하는 애플리케이션을 지원하도록 설계되었습니다. 또한 Kioxia의 엔터프라이즈 SSD, 특히 AI 시스템에서 GPU 효율성을 극대화하는 것을 목표로 하는 SSD에도 통합됩니다.

Kioxia는 최적의 투자 효율성을 제공하는 경쟁력 있는 제품을 제공하면서 최첨단 애플리케이션의 다양한 요구를 해결하기 위해 이중축 전략을 계속 추구하고 있습니다. 두 축은 다음과 같습니다.

• 9세대 BiCS FLASH™ 제품: 기존 메모리 셀 기술⁽³⁾과 최신 CMOS 기술을 통합하는 CBA(CMOS Direct Bonded to Array) 기술⁽²⁾을 활용하여 생산 비용을 절감하면서 높은 성능을 달성합니다.
• 10세대 BiCS FLASH™ 제품: 대용량 고성능 솔루션에 대한 향후 예상 수요를 충족하기 위해 메모리 레이어 수를 확장했습니다.

5세대 BiCS FLASH™ 기술 및 고급 CMOS 기술을 기반으로 120층 적층 공정을 사용하여 개발된 새로운 9세대 BiCS FLASH™ 512Gb TLC는 동일한 512Gb 용량을 가진 Kioxia의 기존 BiCS FLASH™ 제품⁽⁴⁾보다 성능이 크게 향상되었습니다. 여기에는 다음이 포함됩니다.

• 쓰기 성능: 61% 개선
• 읽기 성능: 12% 개선
• 전력 효율성: 쓰기 작업 중 36%, 읽기 작업 중 27% 향상
• 데이터 전송 속도: 고속 3.6Gb/s⁽⁵⁾ NAND 인터페이스 성능을 지원하는 토글 DDR6.0 인터페이스
• 비트 밀도: 평면 스케일링의 발전을 통해 8% 증가

또한 Kioxia는 512Gb TLC가데모 조건에서 최대 4.8Gb/s⁽⁵⁾ 의 NAND 인터페이스 속도로 작동함을 확인했습니다. 제품 라인업은 시장 수요에 따라 결정됩니다.

Kioxia는 고객의 다양한 요구를 충족하는 최적의 솔루션을 지속적으로 제공하기 위해 글로벌 파트너십을 강화하고 추가 혁신을 추구하기 위해 최선을 다하고 있습니다.