Kioxia, 고성능, 대용량 및 저전력 소비를 제공하는 10세대 BiCS FLASH™ 제품의 샘플 출하 시작

기타카미 공장의 Fab2에서 생산 계획

  • 2026년 7월 3일
  • KIOXIA Corporation

메모리 솔루션의 세계적 선도업체인 Kioxia Corporation은 오늘 10세대 BiCS FLASH™ 3D 플래시 메모리 기술을 활용한 1테라비트(Tb) TLC(Triple-Level-Cell) 메모리 제품의 샘플 출하를 시작했다고 발표했습니다.1 이 기술은 주로 회사의 기업 및 데이터 센터용 SSD에 통합되어, 고성능, 대용량, 저전력 소비를 요구하는 AI 스토리지에 대한 증가하는 수요를 충족하기 위해 Kioxia의 제품 라인업을 강화할 것입니다. 이 신제품은 일본 이와테현에 있는 Kioxia의 Kitakami Plant Fab2 시설에서 최첨단 장비를 사용하여 제조될 것입니다.

8세대 BiCS FLASH™ 이후 채택된 혁신적인 CBA(CMOS Bonded to Array) 기술2 및 OPS(On-Pitch Select Gate Drain)3에 직접 활용함으로써 10세대 기술은 4.8Gb/s4의 NAND 인터페이스 속도를 달성하여 8세대에 비해 33% 개선되었습니다. 332개의 레이어를 쌓아 측면 밀도를 개선하여 비트 밀도가 59% 증가했습니다. 또한 쓰기 및 읽기 전력 효율성이 각각 18% 및 30% 향상되었으며5 데이터 센터 및 엔터프라이즈 인프라의 전력 소비를 줄이는 데 도움이 됩니다.

Kioxia는 고유한 이중 축 전략에 따라 상대적으로 저렴한 투자 비용으로 고성능을 제공하는 9세대 솔루션과 고급 레이어 스태킹을 활용하여 대용량과 우수한 성능을 달성하는 10세대 기술이라는 두 가지 제품 라인을 동시에 발전시키고 있습니다.

Kioxia는 ‘기억력’으로 세상을 고양시킨다는 사명에 따라 기술 혁신을 주도하고 글로벌 파트너십을 강화하며 최신 AI 인프라를 지원하는 고급 스토리지 솔루션을 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다.

 

  1. 이러한 샘플은 기능 점검용이며 이러한 샘플의 사양은 양산제품과 다를 수 있습니다.
  2. CMOS 웨이퍼와 셀 어레이 웨이퍼를 각각 최적화된 조건에서 별도로 제조한 후 접합하는 기술입니다.
  3. 사용하지 않는 메모리 구멍을 제거하여 비트 라인을 단축하고 워드 라인 커패시턴스를 줄일 수 있는 기술입니다.
  4. 1Gbps는 1,000,000,000bits/s 로 계산됩니다. 이 값은 특정 Kioxia의 테스트 환경에서 획득하며 사용자의 조건에 따라 달라질 수 있습니다.
  5. 데이터 전송 중 전력 효율도 포함되었습니다.

 

메모:

  • 제품 용량은 최종 사용자가 데이터 저장에 사용할 수 있는 메모리 용량이 아니라 제품 내 메모리 칩의 용량를 기반으로 정의됩니다. 오버헤드 데이터 영역, 포맷, 불량 블록 및 기타 제약으로 인해 소비자 사용 가능 용량이 줄어들 수 있으며, 호스트 장치 및 애플리케이션에 따라 달라질 수도 있습니다. 자세한 내용은 해당 제품 사양을 참조하십시오. 1Gb = 2^30비트 = 1,073,741,824비트.
  • 읽기 및 쓰기 속도는 Kioxia의 특정 테스트 환경에서 얻은 최상의 값이며, Kioxia는 개별 장치의 읽기 및 쓰기 속도를 보증하지 않습니다. 읽기 및 쓰기 동작 속도는 사용되는 장치와 읽고 쓰는 파일 사이즈에 따라 다를 수 있습니다.
  • 여기에서 언급된 다른 모든 회사 이름, 제품 및 서비스 이름은 해당 회사의 상표일 수 있습니다.

 

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