Kioxia 9세대 BiCS FLASH™ 1Tb TLC 메모리 장치 샘플 출하 개시

해당 신규 제품은 기존 메모리 셀과 고도화된 CMOS 기술을 적용해 높은 투자 효율을 달성했습니다.

  • 2026년 7월 30일
  • KIOXIA Corporation

메모리 솔루션 분야의 세계적 선도업체인 Kioxia Corporation은 오늘, 9세대 BiCS FLASH™ 3D 플래시 메모리 기술을 적용한 1Tb(테라비트) 트리플 레벨 셀(TLC) 메모리 장치의 샘플 출하를 시작했다고 발표했습니다. 이 장치는 고성능이 필요한 저수준에서 중간 수준의 스토리지 용량을 갖춘 AI 지원 PC 및 스마트폰과 같은 애플리케이션을 지원하도록 설계되었습니다.

Kioxia는 CMOS directly Bonded to Array (CBA) 기술2 및 On-Pitch Select Gate Drain(OPS) 기술3을 기반으로 이중 축 전략을 계속 추진하고 있습니다. Kioxia는 이중 축(dual-axis) 전략에 따라 동시에 두 가지 상이한 제품 라인을 추진하고 있습니다. 즉, 상대적으로 투자 비용이 낮으면서도 높은 성능을 제공하는 9세대 솔루션과, 고도화된 적층(layer stacking) 기술을 활용해 대용량과 우수한 성능을 구현하는 10세대 기술입니다.

8세대 BiCS FLASH™ 기술과 고도화된 CMOS 기술을 기반으로 한 230층 적층 공정을 사용하여 개발된 새로운 9세대 BiCS FLASH™ 1Tb TLC 장치는 4.8Gb/s의 NAND 인터페이스 속도를 제공하며, 이는 8세대 장치 대비 33% 향상된 것으로 10세대 장치와 동일한 성능입니다4.

Kioxia는 ‘기억으로 세상을 재미있게’ 는 사명에 따라 기술 혁신을 주도하고 글로벌 파트너십을 강화하며 최신 AI 인프라를 지원하는 고급 스토리지 솔루션을 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다.

  1. 이 샘플은 기능을 확인하기 위한 목적으로 생산되었으며, 양산 시 실제 사양은 다를 수 있습니다.
  2. CMOS 웨이퍼와 Cell array 웨이퍼를 각각 최적화된 조건에서 별도로 제조한 후 접합하는 기술입니다. 이 기술은 8세대 BiCS FLASH™ 제품 이후 채택되었습니다.
  3. 사용하지 않는 메모리 홀을 제거하여 비트 라인 길이를 줄이고 워드 라인 정전 용량을 감소시키는 기술입니다. 이 기술은 8세대 BiCS FLASH™ 제품 이후 채택되었습니다.
  4. 1Gb/s는 초당 1,000,000,000비트로 계산됩니다. 이 값은 Kioxia Corporation의 특정 테스트 환경에서 획득되었으며, 결과는 사용 조건에 따라 실제 사용에서 다를 수 있습니다.

 

메모:

  • 제품 용량은 최종 사용자가 데이터를 저장할 수 있는 메모리 용량이 아니라 제품 내 메모리 칩의 밀도를 기준으로 정의됩니다. 소비자가 실제로 사용할 수 있는 용량은 오버헤드 데이터 영역, 포맷팅, 불량 블록 및 기타 제약 조건으로 인해 낮아질 수 있으며, 호스트 장치 및 애플리케이션에 따라 달라질 수도 있습니다. 자세한 내용은 해당 제품 사양을 참조하십시오. 1Gb = 2^30비트 = 1,073,741,824비트.
  • 읽기 및 쓰기 속도는 Kioxia의 특정 테스트 환경에서 얻은 최상의 값이며, Kioxia는 개별 장치의 읽기 및 쓰기 속도를 보증하지 않습니다. 읽기 및 쓰기 동작 속도는 사용되는 장치와 읽고 쓰는 파일 사이즈에 따라 다를 수 있습니다.
  • 회사명, 제품명 및 서비스명은 제3자 회사의 상표일 수 있습니다.

 

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