더 높은 용량에 대한 길을 열어주는 혁신적인 기술

현재 세대의 BiCS FLASH™ 제품의 주요 개선 사항을 뒷받침하는 몇 가지 획기적인 기술 혁신이 있습니다. 플래시 메모리 엔지니어링 설계 및 조립 공정의 발전을 통해 밀도, 성능 및 전력 효율성이 향상되었습니다. CMOS directly Bonded to Array (CBA), On Pitch Select Gate (OPS) 및 32-die 메모리 어셈블리가 3D 플래시 메모리의 미래를 어떻게 구현하는지 살펴보세요.

프런트엔드 프로세스의 기술

CBA 기술

CBA 기술을 통하여, 각 CMOS 웨이퍼와 셀 어레이 웨이퍼를 최적의 조건에서 별도로 제조한 후 결합하여, 비트 밀도와 NAND I/O 속도가 향상되었습니다.

Interview

High-density 3D flash memory using high-precision wafer bonding brings new value to storage

In recent years, flash memory manufacturers have focused primarily on developing technologies to increase the number of layers of memory cells and increase memory density. Each time a new generation of flash memory is released, the number of layers increases with some products boasting more than 200 layers. However, as Atsushi Inoue, Vice President of Memory Division at KIOXIA, explained, "Increasing the layers of memory cells is only one way of increasing capacity and memory density, and we are not exclusively preoccupied with the number of layers."

OPS 기술

전통적으로 메모리 셀 사이에 사용되지 않는 "더미" 영역이 존재하여 메모리 밀도가 감소했습니다. OPS를 사용하면 이러한 불필요한 더미 영역이 제거되어 동일한 공간에 더 많은 실제 메모리 셀을 배치할 수 있습니다. 이는 메모리 밀도를 크게 향상시킵니다.

백엔드 공정의 어셈블리 기술

KIOXIA는 32개의 플래시 메모리 다이를 2Tb의 용량으로 묶어 단일 패키지에 대용량 8TB 플래시 메모리를 개발했습니다. 이 메모리 솔루션은 웨이퍼 얇아짐, 재료 설계 및 와이어 본딩 기술을 포함한 고급 백엔드 프로세스를 통해 가능해졌습니다.

Interview

Leading the AI Evolution with Innovative 2mm Flash Memory Assembly Technology

32 memory dies assembled into a single package

The rapid growth of AI has accelerated demand for flash memory capacity. KIOXIA has successfully developed large-capacity 8 TB (terabyte) flash memory by assembling 32 pieces of 2 Tb (terabit) memory dies into a package less than 2 mm in height. This achievement was made possible with advanced assembly process technologies, including the technology for making wafers as thin as possible.

모든 세대에 공통적인 BiCS FLASH™ 기술의 기본 원리

BiCS FLASH™  3D 플래시 메모리는 메모리 셀을 수직으로 쌓아 스토리지 밀도를 크게 높입니다. 이 고층 건물 같은 아키텍처는 셀을 나란히 배열하는 2D(평면) 플래시 메모리의 한계를 극복합니다. 셀 간 거리를 늘리면 셀 간 간섭이 줄어들어 2D 플래시 메모리에 비해 밀도, 성능 및 전력 효율성이 향상됩니다. 

TLC (Triple-Level Cell) 및 QLC (Quadruple-Level Cell) 기술

BiCS FLASH™ 3D fl -ash 메모리 제품 라인업에는 TLC(3비트/셀) 및 SQLC(4비트/셀) 기술이 모두 포함되어 있습니다. QLC 기술은 메모리 셀당 데이터의 비트 카운트를 3에서 4로 푸시하여 용량을 크게 확장합니다. BiCS FLASH™ QLC 기술을 사용하여 단일 패키지로 16다이 스택 아키텍처에서 4테라바이트(TB) 용량을 달성할 수 있습니다.

KIOXIA는 SLC 기술에서 MLC로, MLC에서 TLC로, 그리고 TLC에서 QLC로의 성공적인 전환을 예측하고 준비한 업계 최초의 기업 중 하나입니다.

KIOXIA QLC 기술은 고밀도, 저비용 저장 솔루션이 필요한 애플리케이션에 이상적입니다. 오늘날의 QLC는 단일 패키지에서 사용 가능한 최고 밀도를 제공하면서 공간 효율성을 높여 스토리지 솔루션의 확장성을 가능하게 합니다.

애플리케이션별 제품

고급 고성능, 고용량, 저전력, 낮은 지연 시간, 안정성 등을 제공하여 자동차 애플리케이션, 소형 고성능 지향 PC, 클라우드 서버 및 하이퍼스케일 데이터 센터 구축 등 다양한 기능을 제공합니다. KIOXIA 메모리 및 스토리지 솔루션은 새로운 애플리케이션을 지원하고 기존 기술이 예상 잠재력에 도달할 수 있도록 합니다.

지원

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