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Kioxia와 Sandisk, 4.8Gb/s NAND 인터페이스 속도를 달성하는 차세대 3D 플래시 메모리 기술 발표
성능, 전력 효율성 및 비트 밀도를 위한 새로운 벤치마크를 수립하는 10th 3D 플래시 메모리 기술 미리 보기
- KIOXIA Corporation
- Sandisk Corporation
SAN FRANCISCO, 국제 솔리드 스테이트 회로 컨퍼런스(ISSCC)., 2025년 2월 19일 – Kioxia Corporation 및 Sandisk Corporation은 최첨단 3D 플래시 메모리 기술을 개척하여 4.8Gb/s NAND 인터페이스 속도, 우수한 전력 효율성 및 높은 밀도로 업계 벤치마크를 수립했습니다.
ISSCC 2025에서 공개된 새로운 3D 플래시 메모리 혁신은 회사의 혁신적인 CBA(CMOS가 어레이에 직접 결합됨) 기술1과 함께 최신 인터페이스 표준 중 하나인 NAND 플래시 메모리용 DDR6.0 토글을 통합하고 인터페이스의 새로운 명령 주소 입력 방법인 SCA(별도 명령 주소) 프로토콜2및 전력 소비를 더욱 줄이는 데 중요한 역할을 하는 PI-LTT(Power Isolated Low-Tapped Termination) 기술3을 활용합니다.
이 독특한 고속 기술을 활용하는 이 회사는 새로운 3D 플래시 메모리가 현재 대량 생산 중인 8th 3D 플래시 메모리에 비해 NAND 인터페이스 속도가 33% 개선되어 인터페이스 속도가 4.8Gb/s에 달할 것으로 예상합니다. 또한 이 기술은 데이터 입력/출력의 향상된 전력 효율성을 제공하여 입력의 전력 소비를 10%, 출력의 전력 소비를 34% 줄여 고성능과 낮은 전력 소비의 균형을 이룰 수 있습니다. 10th 3D 플래시 메모리를 미리 보면서 메모리 레이어의 수를 332개로 늘리고 평면 밀도를 높이기 위해 평면도를 최적화함으로써 비트 밀도를 59% 개선한다고 자세히 설명했습니다.
Kioxia의 최고 기술 책임자인 Hideshi Miyajima는 “AI 기술의 확산으로 생성된 데이터의 양이 크게 증가할 것으로 예상되며, 현대 데이터 센터에서 전력 효율성이 증가할 필요성도 커질 것으로 예상하고 있습니다. Kioxia는 이 신기술이 향후 스토리지 솔루션을 위한 SSD를 포함하여 더 큰 용량, 더 빠른 속도 및 더 낮은 전력 소비 제품을 가능하게 하고 AI 개발을 위한 토대를 마련할 것이라고 강력하게 믿습니다.
Sandisk의 글로벌 전략 및 기술 담당인 Alper Ilkbahar SVP는 AI가 발전함에 따라 고객의 메모리 요구가 점점 더 다양해지고 있다고 말했습니다. CBA 기술 혁신을 통해 우리는 용량, 속도, 성능 및 자본 효율성 측면에서 최상의 조합을 제공하는 제품을 출시하여 시장 세그먼트 전반에 걸쳐 고객에게 제공하는 것을 목표로 합니다.
Kioxia와 Sandisk는 또한 다가오는 9th 3D 플래시 메모리에 대한 계획을 공유했습니다. 고유한 CBA 기술을 통해 새로운 CMOS 기술과 기존 메모리 셀 기술을 결합하여 자본 효율적인 고성능 저전력 제품을 제공할 수 있습니다. 두 회사 모두 최첨단 플래시 메모리 기술을 개발하고, 고객의 요구를 충족하는 맞춤형 솔루션을 제공하며, 디지털 사회의 발전에 기여하기 위해 최선을 다하고 있습니다.
KIOXIA 소개
Kioxia는 플래시 메모리 및 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)의 개발, 생산 및 판매를 전문으로 하는 메모리 솔루션 분야의 세계적인 선도업체입니다. 2017년 4월, Toshiba Memory는 1987년 NAND 플래시 메모리를 발명한 Toshiba Corporation으로부터 분사되었습니다. Kioxia는 고객을 위한 선택과 사회를 위한 메모리 기반 가치를 창출하는 제품, 서비스 및 시스템을 제공함으로써 "메모리"로 세상을 고양시키는 데 전념하고 있습니다. Kioxia의 혁신적인 3D 플래시 메모리 기술인 BiCS FLASH™는 첨단 스마트폰, PC, 자동차 시스템, 데이터 센터 및 생성형 AI 시스템을 포함한 고밀도 애플리케이션에서 스토리지의 미래를 만들어가고 있습니다.
Sandisk 소개
Sandisk는 포부와 순간의 교차점에서 사람과 기업을 만나 지속적으로 전진하고 가능성을 추진할 수 있는 혁신적인 플래시 솔루션과 고급 메모리 기술을 제공합니다. Sandisk Corporation은 Western Digital(나스닥: WDC)의 전액 출자 자회사입니다. Instagram, Facebook, X
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- 각 CMOS 웨이퍼 및 셀 어레이 웨이퍼가 최적화된 상태로 별도로 제조된 다음 함께 접합되는 기술.
- 명령/주소 입력을 위한 버스와 데이터 전송을 위한 버스가 서로 다른 버스로 완전히 분리되어 병렬로 사용되는 기술. 이렇게 하면 데이터 입력/출력 시간이 줄어듭니다.
- NAND 인터페이스 전원에 기존 1.2V 및 추가 저전압을 위한 전원을 사용하는 기술. 이렇게 하면 데이터 입력/출력 중 전력 소비가 줄어듭니다.
- 1Gbps는 1,000,000,000비트/s로 계산됩니다. 이 값은 특정 Kioxia의 테스트 환경에서 획득하며 사용자의 조건에 따라 달라질 수 있습니다.
- 회사명, 제품명 및 서비스명은 제3자 회사의 상표일 수 있습니다.
미래 예측 진술
이 보도 자료에는 Sandisk의 기술 및 제품의 가용성, 역량 및 영향에 대한 기대치를 포함하여 연방 증권법의 의미 내에서 미래 예측 진술이 포함되어 있습니다. 이러한 미래 예측 진술은 경영진의 현재 기대치를 기반으로 하며, 실제 결과가 미래 예측 진술에 명시되거나 암시된 것과 상당히 다를 수 있는 위험과 불확실성의 영향을 받습니다.
실제 결과가 미래 예측 진술에 명시되거나 암시된 것과 상당히 다를 수 있는 주요 위험과 불확실성은 다음과 같습니다. 운영, Western Digital Corporation의 플래시 비즈니스를 Sandisk에 분사하는 데 내재된 재정적, 법적 문제 및 어려움 독립 실행형 플래시 비즈니스의 향후 운영 결과 분사가 예상 조건과 예상 일정에 따라 완료되는지 여부 스핀오프에 대한 조건이 충족되지 않을 수 있는 가능성을 포함하여, 정부 기관이 금지할 수 있는 경우, 필요한 승인을 지연하거나 거부하는 행위 분사의 예상 이익과 비용, 예상 기간 내에 예상 이익을 실현하지 못할 것이라는 점을 포함, 전체적으로 또는 전혀; 고객과의 관계에 대한 잠재적 이상반응 또는 변화, 발표 및 분사 완료로 인한 공급업체 또는 기타 파트너 공지 또는 분사 완료에 대한 경쟁 대응 예상치 못한 비용, 부채, 분사로 인한 비용 또는 경비 분사와 관련된 소송 분사로 인해 주요 인력을 유지할 수 없는 경우, 분사로 인한 지속적인 사업 운영으로 인한 관리 시간 중단 지정학적 갈등이 비즈니스에 미치는 영향 일반 경제 및/또는 산업별 조건의 변경 기타 경제, 경쟁력, 법률, 정부, 1월 27일 SEC에 제출된 Sandisk Corporation의 양식 10 등록 진술서에 증거물 99.1로 첨부된 최종 정보 진술서에 명시된 분사 및 기타 위험과 불확실성에 영향을 미칠 수 있는 기술적 및 기타 요인, 2025년, SEC 웹사이트 www.sec.gov 확인할 수 있습니다.이러한 미래 예측 진술은 작성된 날짜를 기준으로 한 것이므로 지나치게 의존해서는 안 됩니다. 또한, 샌디스크는 법적으로 요구되는 경우를 제외하고, 새로운 정보나 사건을 반영하여 해당 미래 예측 진술을 수정하거나 갱신할 의무를 지지 않습니다.
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